京瓷推出了一种新的薄膜工艺技术，用于制造氮化镓（GaN）基微光源的独特硅（Si）基板。这还包括短腔激光器和MicroLED。微型光源具有更高的分辨率、更小的尺寸和更轻的重量等性能优势。未来可用于自动驾驶领域的更高亮或透明的高分辨率显示器。此外，还包括其他潜在应用，如增强现实（AR）和虚拟现实（VR）。预计新工艺将解决微光源制造方面的挑战，例如发光层难以剥离、缺陷密度高和成本高。
京瓷的新工艺技术是在公司位于日本京都的先进材料和器件研究所开发的。首先，在硅衬底上生长GaN层。然后用具有开口的非生长材料掩盖GaN层。其后，当在硅衬底上形成GaN层时，GaN核心会超出掩模中的开口。虽然GaN层的核心在生长的初始阶段存在许多缺陷，但由于横向生长，可以生产出具有低缺陷密度的高质量GaN层。然后可以从GaN层的这个低缺陷区域成功制造组件。新工艺预计能实现GaN层与相对便宜的硅衬底的可靠分离，并显着降低生产成本。
