日本佐贺大学报告了基于稀土（RE）掺杂氧化镓（Ga2O3）的白光LED（WLED）的工作进展。
研究人员采用了垂直集成策略，使掺杂有铥 (Tm)、铕 (Eu) 和铒 (Er) 的 Ga2O3 层相互叠加生长。该研发团队评论表示：“通过横向集成生长的薄膜是并排沉积的，而将多种稀土元素共掺杂到同一主体中将不可避免地降低晶体质量，从而导致不理想的阈值电压和发光效率。”
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